用热压法制备Ti3SiC2层状陶瓷的研究

摘要

以TiC/Si/Al/Ti为原料,采用热压工艺制备出高纯致密的块体材料,合成材料的X-射线,扫描电镜(SEM)结合能谱仪(EDS)分析结果表明:当烧结温度为1400℃时,合成样品纯度为98.2%,晶格参数为a=0.3069nm,c=1.767nm,晶粒尺寸为4～10μm的板状结晶.材料具有与石墨相似的可加工性能.