基于改进忆阻器的混沌电路研究

摘要

忆阻器是一种具有记忆和连续输出特点的非线性电阻器，针对窗函数忆阻器模型的不足，提出了一种改进的窗函数，它通过添加一个参数来关联忆阻器的线性与非线性特性。为了对该窗函数进行验证，运用了数值分析与模拟电路分析的方法，仿真得出了忆阻器的伏安特性曲线，结果表明，使用改进窗函数的忆阻器模型更加接近实际物理状态。同时，为了进一步研究该模型的电路特性，将该模型应用于蔡氏混沌电路，通过MATLAB仿真得出其相图，并分析它的李雅普诺夫指数谱，数据表明该电路能产生混沌现象，因此，该忆阻器模型是一个能被应用的非线性模型。