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硅片氧化过程及其对硅中杂质分布影响的分析

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利用带活动边界的“D＇Alembert变分法”分析了硅片的氧化过程及此过程所引起的硅中杂质的再分布.氧化过程的理论分析结果及对两种常见的杂质初始分布的计算结果均与实验相符.

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来源
《北京师范大学学报：自然科学版》|1988年第3期|27-35|共9页
作者
黄祖洽; 黄雪梅;
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作者单位

北京师范大学低能核物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
硅片氧化; 活动边界; 扩散; 分凝; 杂质再分布; D′Alenbert变分原理;
入库时间 2022-08-21 04:41:27

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