首页> 中文期刊>北京师范大学学报：自然科学版 >GaAs上Ge薄膜的性能研究

GaAs上Ge薄膜的性能研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致 .

著录项

来源
《北京师范大学学报：自然科学版》|2001年第2期|180-182|共3页
作者
杨茹; 任永玲; 李国辉; 阎凤章; 朱红清;
展开▼
作者单位

北京师范大学低能核物理研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料和工作物质;光纤通信;
关键词
Ge/GaAs; 白光快速退火; 再结晶; 界面扩散; 光纤通信; 光电材料;
入库时间 2022-08-20 14:50:50

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究 [J] . 杨茹 ,李国辉 ,仁永玲 . 功能材料与器件学报 . 2000,第3期
2. 利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征 [J] . 何巍 ,陆书龙 ,杨辉 . 红外与毫米波学报 . 2016,第002期
3. GaAs(100)上外延Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3(101)铁电薄膜的制备与性能研究 [J] . 李争刚 ,朱俊 ,刘兴鹏 . 电子元件与材料 . 2018,第008期
4. Si_（83）Ge_（17）/Si压应变衬底上HfAlO_x栅介质薄膜微结构、界面反应和介电性能研究 [J] . 张守英 ,周广东 ,刘志江 . 中国科学 . 2012,第012期
5. Si83Ge17／Si压应变衬底上HfO2栅介质薄膜的电学性能 [J] . 涂雅婷 ,周广东 ,张守荚 . 中国科学 . 2012,第004期
6. Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究 [C] . 杨茹 ,李国辉 ,仁永玲 . 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 . 2000
7. Ge基底上Hf0.5Zr0.5O2薄膜的铁电性能调控 [A] . 贾林飞 . 2019

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号