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侯旭明;
包头职业技术学院机械系;
解理台阶; 螺位错; 交割; 解理面;
机译:固体自由表面的表面台阶-位错转变和位错成核
机译:应力松弛下GaAs(001)表面位错诱导和邻位单原子台阶的形成与相互作用
机译:无位错硅单晶解理裂纹的热阻中裂纹尖端滑移系统的选择
机译:4H-SiC无台阶台阶型衬底上MOCVD GaN / AlN薄膜中的位错形核和生长
机译:一种计算高效的混合2D / 3D薄膜位错模型
机译:基于位错密度的流应力模型在Ti-6Al-4V正交切削过程PFEM模拟中的应用
机译:具有3层高表面台阶的6H-SiC(0001)衬底上生长的AlN层中的螺纹位错阵列的形成机理
机译:结构渐变材料的多尺度建模使用离散位错塑性模型和连续体晶体塑性模型。
机译:半导体工艺中曲率和台阶位错线的测量
机译:测量半导体工艺中的曲率和台阶位错线
机译:使用FLOOD-STEINBERG标记能够从16位图像系统获得与24位图像类似的质量的位错现象改进方法,而使用PC可读介质的FLOW-STEINBERG改进方法则是通过16位图像位错现象改进的方法在计算机上读取的介质
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