旋转CVI制备陶瓷基复合材料碳界面层

摘要

用旋转ＣＶＩ工艺，通过优化工艺参数，在低压（５ｋＰａ）、高温（１１００℃）、高Ｃ３Ｈ６浓度（６２。５ｖｏｌ％）以及３．５ｍｍ·ｍｉｎ＾－１碳布旋转线速度条件下，在二维碳布上快速制备了厚度均匀（０．２５μｍ）、表面规整的致密热解碳界面层。实验结果表明：沉积温度对界面层表面状况有较大的影响；采用减压法与优化沉积炉结构与几何尺寸，能有效防止高温高Ｃ３Ｈ６浓度下炭黑的形成。