GaAs毫米波双路数控衰减器MMIC

摘要

基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款毫米波双路数控衰减器。芯片上集成了两个4位数控衰减器、一分二功分器和8位数字驱动器。重点介绍了射频电路数控衰减器和功分器的拓扑结构设计。该芯片测试结果显示在26~32 GHz频段内,芯片插入损耗小于6 dB,衰减均方根误差小于0.5 dB,衰减附加相移小于±5°,输入输出电压驻波比小于1.6:1,工作电流小于6 mA。芯片尺寸仅为2.00 mm×2.00 mm×0.07 mm。