一种磁膜集成射频噪声抑制器

摘要

文章介绍采用软磁薄膜集成制造的平面传输线型射频（RF）噪声抑制器。该抑制器的纵向结构是由①软磁薄膜（2mm×15mm×1．2μm）；②聚酰亚胺膜（2μm厚）；③铜（Cu）箔（15．2m长×3μm厚）传输线；④Ti／Cu籽晶层；⑤玻璃基片（1mm厚度）等组成的。共平面传输线用电镀铜的方法制备，其特性阻抗为50Ω。信号线宽为50μm。软磁膜采用射频磁控溅射淀积法制造，基本软磁膜为CoPdAlO和CoNbZr合金材料。将这种磁膜集成式射频噪声抑制器与非集成射频噪声抑制器比较，以噪声抑制器的共振点信号衰减量为例，用1μm厚度的CoNbZr膜时，信号的衰减量从-4dB增大到-30dB；用CoPdAlO膜（2μm厚度）时，则从-15dB增大到-57dB。可见其抑制电磁噪声的效果显著。