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饶忠君; 张志浩; 章国豪;
广东工业大学信息工程学院 广东广州510006;
河源广工大协同创新研究院 广东河源517000;
GaAs pHEMT; 低噪声放大器; 低噪声; 双模式;
机译:采用90NM CMOS技术的射频接收器前端低功耗,低噪声放大器的设计与分析
机译:70.4 dB的电压增益,2.3 dB的NF,完全集成的多标准UHF接收器前端(CMOS)130 nm
机译:完全集成的可变增益多tanh低噪声放大器,用于可调FM无线电接收器前端
机译:21.3具有充电域模拟前端的完全集成的2.7μW-70.2DBM敏感性唤醒接收器,-16.5dB-SIR,FEC和加密校验和
机译:45 nm CMOS技术中全集成低噪声放大器(LNA)的设计,故障建模和测试,用于芯片间无线互连
机译:形成Nb1.45Si2.7Ti2.25Al3.25Hf0.35和Nb1.35Si2.3Ti2.3Al3.7Hf0.35合金的氧化铝鳞的微观结构和等温氧化
机译:分析和设计1.8-2.7 GHz可调谐8频段TDD LTE接收器前端
机译:混合信号接收器芯片RF前端接收器芯片
机译:低噪声放大器芯片,前端放大器模块和射频接收装置
机译:射频前端射频前端具有多个低噪声放大器模块
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