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刘式墉;
吉林大学电子系;
InP基材; 相关器件; 工程材料 ; 学术会议 ;
机译:B. Galieva,A. Ji的修正案。 Vasilyeva,R.M.Maumova,E. A.Klimova,P.P.P.Maltseva,S.S.Pushkareva,M. Yu。Presnyakova,I. N.Trunkin“Inalas / Ingaas / Inalas Hemg的结构和电神科性质,在量子坑中的INP基材上的InP衬底上的InP衬底的结构和电神经性质。” 2014. T. 59.第6号。第6. P. 990-998
机译:InP / InAIGaAs长波长发光晶体管的掺杂相关器件功能
机译:40 Gbps全光3R再生和格式转换以及相关的基于InP的半导体器件
机译:InP和相关材料的替代基材
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:多函数多孔弹性体基材用于多功能的皮肤电子器件具有无源冷却功能
机译:用于InP基HBT高功能性的InGaAsSb基材料的MOCVD生长和器件特性的研究
机译:变质HBT:在Gaas衬底上生长的Inp / InGaas / Inp器件。
机译:INP基板,INP半导体器件和INP基板的制造
机译:在热壁反应器中使用有机金属前体在InP衬底上生长器件质量InP的方法
机译:InP / ZnS-InP / ZnS-用其制造InP / ZnS核壳量子点和InP / ZnS核壳量子点的方法
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