长波HgCdTe光电二极管：n＋在p上面的结构与p在n上面的结构的比较（下）

摘要

3.n+在p上和p在n上的光电二极管结构的比较让我们设想一种典型的高质量n+在p上（或p在n上）的HgCdTe光电二极管结构（见图1）,这种光电二极管结构可以用现代的外延生长技术（液相外延、分子束外延或者金属有机化学汽相淀积）制备。在这种光电二极管中,p（n）型基层的合成载流子浓度约为5×1015{(5×1014)}cm-3,厚度约为10μm,它被夹在一层高度掺杂的n+型（p+