Zn1-xCdxSe/ZnS量子阱材料的共振遂穿特性研究

安盼龙; 许丽萍; 温银萍

首页> 中文期刊>红外 >Zn1-xCdxSe/ZnS量子阱材料的共振遂穿特性研究

Zn1-xCdxSe/ZnS量子阱材料的共振遂穿特性研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文通过对共振隧穿电流密度随外加偏压及应力而变的依赖关系的理论研究,模拟了Zn1-xCdxSe/ZnS共振隧穿电流密度随外加偏压及应力的变化曲线.给出了等效电阻系数随外加偏压及应力而变的依赖关系,得出了介观压阻系数与外应力的变化符合线性关系的结论.这些结论为将机械信号转换为电学信号的介观效应器件的设计提供了理论指导.

著录项

来源
《红外》|2009年第3期|35-38|共4页
作者
安盼龙; 许丽萍; 温银萍;
展开▼
作者单位

中北大学理学院物理系,太原,山西,030051;

中北大学理学院物理系,太原,山西,030051;

中北大学微米纳米技术研究中心,太原,山西,030051;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
介观压阻系数; 应力; 共振隧穿电流; 偏压;
入库时间 2022-08-18 03:07:22

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱光伏效应研究 [J] . 李维俭 ,朱文章 . 上海理工大学学报 . 2005,第004期
2. 利用拉曼散射,共振拉曼散射及瑞利散射对ZnSe—ZnS多量子阱材料光… [J] . 赵福潭 ,王淑梅 . 光散射学报 . 1997,第002期
3. GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究 [J] . 王杰 ,张斌珍 ,刘君 . 固体电子学研究与进展 . 2011,第2期
4. (ZnSe/CdSe)ZnSe/GaAs(001)多量子阱材料的X射线双晶衍射研究 [J] . 朱南昌 ,李润身 ,陈京一 . 红外与毫米波学报 . 1995,第003期
5. InP基共振遂穿二极管研究 [J] . 韩春林 ,薛舫时 ,高建峰 . 半导体技术 . 2008,第S1期
6. 基于InAlN/GaN共振遂穿二极管的负阻特性研究 [C] . Linan Yang ,杨林安 ,Haoran Chen . 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 . 2012
7. ZnCdSe/ZnSe量子阱二阶非线性光学特性的研究 [A] . 姜永强 . 2001

Zn1-xCdxSe/ZnS量子阱材料的共振遂穿特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅