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刘磊1;
[1]鹤壁华硕电子科技有限公司;
高场强; 金属化膜脉冲电容器; 失效;
机译:脉冲放电条件下金属化薄膜电容器的电容损失机理
机译:脉冲条件下金属化薄膜电容器的热额定值
机译:重复脉冲应用中金属化薄膜电容器的温升
机译:金属化聚丙烯脉冲电容器的失效机理
机译:第一部分:甲基戊硼烷的进一步研究(11):(1)甲醇分解; (2)高场强NMR。第二部分:有趣的过渡金属化合物的电子结构。
机译:基于过氧化锌的可编程金属化电池的开关失效机理
机译:高场强下薄氧化膜中的氧传输
机译:改进低密度金属密封金属化薄膜电容器筛选技术的试验和失效分析
机译:金属化膜,使用该金属化膜的金属化膜电容器以及该金属化膜的制造方法
机译:金属化膜,使用金属化膜的金属化膜电容器以及金属化膜的制造方法
机译:金属化膜的制造方法,金属化膜,膜材料,膜电容器的制造方法以及膜电容器
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