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掩膜成像法在LiNbO3:Fe晶体制作缺陷态光子晶格

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摘要

在用掩膜法制作光子晶格的实验中,我们分别在薄、厚LiNbO3:Fe晶体中成功地制作了带有缺陷的(2+1)维光折变光子晶格且比较了二者的异同,并结合透镜成像的相关理论找出了造成这些异同的因素,又对这些因素做了详细的分析,这对更好的利用掩膜成像法制作光折变光子晶格有一定的指导意义.

著录项

来源
《信息记录材料》|2008年第5期|16-20|共5页
作者
张宝光; 杨立森; 陈宝东; 崔俊杰; 付存宝; 何冬梅;
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作者单位

内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,呼和浩特,010022;

内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,呼和浩特,010022;

内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,呼和浩特,010022;

内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,呼和浩特,010022;

内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,呼和浩特,010022;

内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,呼和浩特,010022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类应用;
关键词
掩膜成像法; LiNbO3:Fe晶体; 缺陷; 光子晶格; 分立度;

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