基于化学掺杂SnO2的氢泄漏传感器的研制

摘要

cqvip:主要研究了掺杂过渡金属(Mn、Co)的SnO2纳米晶样品(半导体金属氧化物)的合成及其对氢气的敏感特性。该样品采用溶胶凝胶法制备,随后经过微波辐射进行合成处理。通过透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)表征方法证实,样品晶粒平均尺寸随掺杂过渡金属浓度的增加而减小;通过实验研究样品在不同温度和浓度下对H2的信号响应,评估采用这种纳米材料作为敏感材料的氢气传感器性能。同时研究了上述传感器对潜在干扰气体一氧化碳(CO)的选择性。结果表明,Co在提高SnO2纳米晶粒的传感性能方面比纯SnO2和掺杂了锰的SnO2更有效,这使得在250℃工作温度下,氢泄漏传感器具有优异的响应性、选择性和再现性。