CMOS阵列响应过程中的电串扰特性研究

摘要

在利用CMOS阵列探测器成像时,探测阵列单元间的串扰将直接影响器件成像质量.为了更好地了解串扰对器件响应过程的影响,针对CMOS图像传感器的电串扰特性进行了分析,建立了电串扰数学分析模型,对电串扰的大小进行了定量计算.具体分析了不同扩散长度、感光面积、耗尽层宽度、像素尺寸和温度对电串扰的影响.分析结果表明,感光面积、耗尽层宽度与像素尺寸对电串扰的影响最大,扩散长度和温度对电串扰的影响相对较小.感光面积由3.8 μm2增加到12.8 μm2后,归一化的电串扰减小了约13％;像素尺寸由7μm×7μm增加为15μm×15μm时,电串扰增加了约95.4％;温度由100 K增加到180 K后,电串扰下降了约0.6％.