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质子和1MeV中子在硅中能量沉积的模拟计算

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摘要

在现有中子截面数据和粒子与物质相互作用的理论基础上 ,编写了计算中子非电离能量损失（NIEL）和电离能量损失（IEL）程序 ,利用该程序和引进的TRIM95程序计算了 1MeV中子和质子在硅中IEL和NIEL的大小和分布等 ,并对计算结果进行了分析和比较 .

著录项

来源
《中国物理C（英文版）》 |2001年第4期|365-370|共6页
作者
陈世彬; 张义门; 陈雨生; 黄流兴; 张玉明;
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作者单位

西安电子科技大学微电子所!西安710071 西北核技术研究所西安710024;

西安电子科技大学微电子所!西安710071;

西北核技术研究所!西安710024;

西北核技术研究所!西安710024;

西安电子科技大学微电子所!西安710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类原子核物理学;
关键词
中子损伤; 计算机模拟; 蒙特卡罗; 能量沉积;

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