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孙健; 张伟兵; 吴琼;
国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心,河南郑州450002;
专利; 阻变存储器; 技术发展;
机译:用于单极性阻变存储(RRAM)器件中复位编程的自加速热溶解模型
机译:Mott绝缘子系列中的电场感应阻性开关:迈向新型RRAM存储器
机译:水热合成TiO_2纳米棒阵列的双极阻变和忆阻性能:生长温度的影响
机译:基于纳米级ZnO的RRAM,具有由双离子束溅射制造的忆阻行为的RRAM
机译:在Na + / TaurocholateCotroansporting多肽(NTCP)中潜在的变阻率,切换和中性位置在潜在的变阻率,切换和中性位置的功能和表达
机译:Graf3用作血液体积敏感的变阻性以控制平滑的肌肉收缩力和血压
机译:Mott绝缘子系列中的电场感应阻性开关:面向非易失性Mott-RRAM存储器
机译:光谱移位控制反应器变阻U-233 /钍循环
机译:变阻非易失性存储元件的写入方法及变阻非易失性存储装置
机译:绿色技术或专利技术的交易系统及其支持专利技术商业化的交易方法
机译:专利技术中执行权补偿配置支持系统的专利技术以及记录媒体
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