木犀草素在C60衍生物修饰电极上的电化学行为

摘要

将新型的C60吡咯烷衍生物(FPD)的异构体之一修饰于玻碳电极表面,通过循环伏安法研究了木犀草素在FPD/GCE上的电化学行为,结果显示该电极对木犀草素的氧化还原过程具有良好的电催化活性.在最优实验条件下,在2×10-8 mol/L～ 10-5 mol/L浓度区间范围内,氧化峰电流与木犀草素的浓度呈线性关系,其线性方程为:Ipc=-0.0103C-3.5955(R2=0.9901),检测限为6.6× 10-9 mol/L.表明所制备的修饰电极对木犀草素的测定具有较高的灵敏度和良好的选择性.