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殷海丰; 傅颖洁; 陈涛;
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;
材料加工工程; 外延层; 自掺杂; 电阻率; 均匀性; 滞流层;
机译:基于电阻率的低电阻率基板非均匀性建模
机译:用于辐射探测器的4H-SiC外延层和高阻块晶的表征
机译:肖特基接触到高阻GaAs外延层,用于粒子和量子检测器
机译:高韧性,高阻尼,高电阻率的薄型轻质钢结构建筑的发展。第6部分。用于引入摩擦的Torsia型高强度螺栓的拧紧轴向力控制
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:集成低电容二极管的掺砷高电阻率硅外延层
机译:al-spacer在层结构中对高阻抗性能GaN基HEmT在K波段低电阻率硅上的影响
机译:alGaas / Gaas异质结构的外延层和衬底界面的成分不均匀性
机译:外延层的掺杂剂浓度的测量方法以及使用该方法的外延层的电阻率的测量方法
机译:测量外延层掺杂浓度的方法和测量外延层电阻率的方法
机译:控制高电阻率In型化合物III-V族外延层中掺入掺杂剂的方法
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