Si3N4-MgO-CeO2陶瓷烧结中的致密化与自动析晶

杜大明; 赵世坤; 李华平; 杨海涛; 高玲

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Si3N4-MgO-CeO2陶瓷烧结中的致密化与自动析晶

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用等离子放电烧结的方法制备了Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,用排水法测定了密度,用X射线衍射的方法测定了物相变化.发现在烧结过程中,高于1 450℃时,MgO-Ce02就会与氮化硅粉末表面的SiO2反应形成硅酸盐液相,促进烧结致密化,冷却后形成玻璃相留在晶界,氮化硅的致密化在1 500℃接近完成.但高于1 550℃烧结,MgO反而会析晶,提高氮化硅陶瓷的高温性能.

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来源
《佛山陶瓷》 |2003年第6期|10-12|共3页
作者
杜大明; 赵世坤; 李华平; 杨海涛; 高玲;
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作者单位

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

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正文语种 chi
中图分类陶瓷工业;
关键词
氮化硅; 等离子放电烧结; 致密化; 析晶;

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