一款小型化高阻带抑制的GaAs低通滤波器

摘要

cqvip:文章分析了低通滤波器的设计原理。基于砷化镓(GaAs)工艺,利用ADS软件仿真设计了一款低通滤波器芯片。其实物测试结果在通带DC^1.5GHz内,插入损耗≤1.4dB,回波损耗≥15dB,其在2.6 GHz处的带外抑制达到了20dB,在2.85 GHz处的带外抑制达到了40dB,整个阻带一直到20GHz都有大于40dB的抑制,且芯片尺寸仅为1.5mm×0.65mm×0.1mm。该低通滤波器的实测结果与仿真结果对比吻合,电特性优良,具有较高的实用价值。