假交替单胞菌对EH40/B10电偶腐蚀的影响

摘要

目的 研究假交替单胞菌(Pseudoalteromonas sp.,P.sp.)对EH40/B10电偶腐蚀的影响.方法 利用电化学工作站测试EH40/B10电偶电流、电偶电位及开路电位,利用扫描电子显微镜和激光共聚焦显微镜分别观察浸泡21天后EH40、B10表面的腐蚀形貌和生物膜,并且测定体系的溶解氧浓度、pH和P.sp.的数量.结果 无菌体系的电偶电流远大于有菌体系,无菌体系的理论驱动电压也大于有菌体系.从腐蚀形貌来看,无菌体系中偶接B10比未偶接腐蚀得轻,而在有菌体系中是否偶接对EH40和B10的腐蚀形貌影响不大.无菌体系的溶解氧浓度远高于有菌体系,且有菌体系的pH比无菌体系低.结论 EH40/B10在无菌体系中的电偶腐蚀速率远大于在有菌体系,主要是因为P.sp.呼吸作用消耗氧气以及在电极表面形成生物膜从而抑制了电偶腐蚀.此外,在无菌体系中偶接B10受到了阴极保护,比未偶接腐蚀得轻,而在有菌体系中,是否偶接对EH40和B10的腐蚀影响不大,电偶腐蚀效应不明显.