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多晶硅片; 单晶; 市场; 回归; 成本优势; 电力项目; 硅电池;
机译:描述对称$ Ihbox {-} V $ $ hbox {p} $多晶Si / $ hbox {n} $单晶硅和$ hbox {n} $多晶硅Si / $ hbox {p} $的特性的简单模型单晶硅结
机译:零场电子自旋共振和光渗透进入单晶和多晶材料的理论研究,所述单晶和多晶材料掺杂了可通过系统间交叉激发为三重态的分子
机译:氰尿酸酯中不可逆的单晶至多晶和可逆的单晶至单晶相变
机译:(407-0188)单晶,单晶凝结裂纹生长行为的微观结构变化,单晶凝结,多晶Ni基超合金。
机译:单晶氧化铜的光电阈值,工作功能和本体费米能级的研究,以及单晶和多晶氧化铜-铜接触的光电特性。
机译:预裂单晶/多晶石墨烯片断裂性能的数值研究
机译:最终报告:1985年1月11日 - 1997年7月31日,单晶和多晶材料在循环和单调变形下的硬化和应变局部化
机译:最终报告:1985年1月11日至1997年7月31日,单晶和多晶材料在循环和单调变形下的硬化和应变局部化
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:制备无位错的单晶硅棒,包括连续熔化多晶棒,用单晶种晶接种熔融材料,以及重结晶成单晶棒。
机译:硅单晶冷却装置和包括该硅单晶生长装置的硅单晶生长装置,能够消除多晶硅的附加填充过程
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