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DRAM; 内存; 产能; 闪存; 晶圆;
机译:闪存/ DRAM的内存总线
机译:通过使用不同的供体部分进行结构调整,从WORM到闪存或DRAM调整内存性能
机译:DRAM和NAND闪存市场rn低价PC和智能手机“ Ur,Fung刺激了内存需求
机译:利用高端服务器的DRAM内存实时仿真多个NAND闪存通道
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:3D DRAM作为主内存的多核内存组织
机译:在以下问题中:某些探针卡组件,其组件以及某些经过测试的DRam和NaND闪存设备以及包含它们的产品。第337-Ta-621号调查
机译:对与膝关节假体系统和植入方法有关的应用的参考。于2008年10月9日提交的美国专利申请号12 / 248,509和美国专利申请序列号2008年10月9日提交的美国专利申请No.12。这是美国专利申请Ser的部分继续。于2008年1月10日提交的美国专利申请第11 / 972,359号基于2007年10月10日提交的美国专利申请第/ 248,517号,要求优先权。基于美国专利申请第60 / 978,949号要求优先权。这些专利申请的公开内容通过引用结合到本文中。
机译:闪存支持的DRAM模块,用于在闪存中存储DRAM模块的参数信息
机译:闪存中DRAM模块的闪存备份DRAM模块存储参数信息
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