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胡广荣; 李文石;
苏州大学电子信息学院;
特征尺寸; 稳定性; 工艺控制; 掩模; 曝光; 显影; 光刻胶;
机译:Selete的EULE掩模掩模缺陷减少技术扩展到EUVL掩模的光掩模缺陷检查和修复技术即使掩模尺寸为100 nm,也可以实现高精度的检查图像对比度
机译:激光工艺接近度校正,用于改善光掩模上的临界尺寸线性
机译:先进的CD AFM计量技术,可对光掩模蚀刻工艺进行3D临界形状和尺寸控制
机译:纳米结构作为掺杂剂来源:使用形状和尺寸控制的纳米材料硅的无掩模纳米级图案化
机译:通过控制水中的气泡的液相等离子体工艺进行尺寸和形状控制的银纳米粒子的合成
机译:胚胎核诱导的合金化工艺用于尺寸分布和发射波长的长时间热稳定性的蓝色发射ZNXCD1-XSE纳米晶体的可再现合成的合金化工艺
机译:VaRTm工艺制造复杂形状的尺寸稳定性
机译:控制掩模版掩模刀片定位以最小化对临界尺寸均匀性的影响的方法和用于控制掩模版掩模刀片定位的装置
机译:在光刻期间在掩模平面中使掩模尺寸稳定的方法,涉及压缩和拉伸掩模以稳定掩模尺寸,以及利用空气冷却或空气加热掩模的部分
机译:用于控制图案临界尺寸和多层掩模完整性的蚀刻工艺
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