首页> 中文期刊> 《电子技术》 >集成电路设计中利用填充金属优化压降的方法

集成电路设计中利用填充金属优化压降的方法

         

摘要

文章提出了一种在深亚微米集成电路设计中优化压降的创新方法,文中重点介绍了压降的成因及利用填充金属优化压降的方法,比如填充金属层次的优化选择、金属形状及方向的优化、目标密度的设置、时序控制等,使得优化后的压降有5%的降低。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号