功率对制备β-FeSi2薄膜的影响

摘要

利用磁控溅射方法,溅射室背底真空优于2.0×10-5 Pa,采用不同的功率在Si(100)(电阻率为7～13 Ωcm)衬底上沉积一层铁薄膜(150～330nm),然后在900℃,15 h背底真空条件下(4×10-4 Pa)退火,形成了β-FeSi2.采用扫描电子显微镜(SEM)对其表面形貌结构进行表征,并采用X射线衍射仪(XRD)对其进行了晶体的结构分析,当溅射功率为70～100 W时,主要衍射峰来自β-FeSi2,但同时在2θ=45°处有较大的FeSi峰,在2θ=38°附近出现较大的Fe5Si3峰.研究结果表明,制备β-FeSi2薄膜的最佳溅射功率为110W,在900℃退火15 h.