控制铅挥发制备钛酸锶铅半导体陶瓷

摘要

在Y掺杂的钛酸锶铅中,分别添加过量PbO、SiO2、ZrO2制备之半导体陶瓷样品,在居里点(约120℃)以上具有强的PTC效应,升阻比接近5个数量级.其中,SiO2或ZrO2增强了居里点以下的NTC效应,降阻比可达1个数量级;而少量PbO则降低了陶瓷的室温电阻率和NTC效应.通过热处理可以使热敏特性由PTC型向NTC-PTC复合型转变,表明NTC效应与铅含量变化密切相关,控制铅挥发能获得不同热敏特性的钛酸锶铅半导体陶瓷.