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范桂芬; 吕文中; 汪小红; 杨桁;
华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;
无机非金属材料; 锰锑-锆-钛酸铅; 压电陶瓷; 二氧化硅掺杂; 压电性能;
机译:SM2O3对SiO2掺杂SnO2-Zn2SnO4陶瓷压敏电阻的微观结构和电性能的影响
机译:CuO对烧结温度和SrCO_3和MnO_2掺杂的PMS-PZT压电多层陶瓷压电陶瓷性能的影响
机译:CaO和SiO2共掺杂对Ni-Zn铁氧体磁性能,电性能和微观结构的影响
机译:SiO2替代对PMS-PZT三元压电陶瓷压电和力学性能的影响
机译:在模型电陶瓷中的纳米晶界电活动和电性能的研究:铌掺杂钛酸锶
机译:Bi3 +掺杂对PLZT(8.0 / 69/31)透明陶瓷的光和电诱导光散射性能的影响
机译:同时添加种子和掺杂剂对陶瓷0.93 PZN-0.07 BT的微观结构和介电性能的影响同时添加种子颗粒和掺杂剂对0.93 PZN-0.07 BT陶瓷的微观结构和介电性能的影响
机译:项目最终报告,在电解质溶液中掺杂Cu2O:掺杂剂掺入,原子结构和电性能,报告期:2009年4月15日 - 2012年1月15日。
机译:改善掺杂氧化硅(SiO2)薄膜电性能的表面处理方法
机译:压电性能增强的PMS-PZT陶瓷及其制造方法
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