Ni添加量对FeCoNiB-SiO2薄膜电磁性能的影响

摘要

采用RF溅射工艺制备了FeCoNiB-SiO2系薄膜.研究了Ni添加量对该种薄膜微结构和电磁性能的影响.结果表明,添加适量的Ni有利于FeCoNiB-SiO2薄膜获得优良的微波电磁性能.通过控制Ni的添加量,可以得到在GHz频段同时具有高磁导率和高损耗的薄膜样品,其磁导率实部μ'和虚部μ" 在0.5～2.0GHz的宽频带范围内分别大于240和100,在2.1 GHz处更是均大于400,其电阻率也达到了868x10-6Ω·cm.该薄膜可应用于微波吸收材料或抗电磁干扰的设计中.