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Djessas Zoheir; Constantine; Algeria;
机译:两个晶体管构成高精度交流电源ZCD
机译:使用标准SiGe工艺制造的金属氧化物半导体场效应晶体管双极结晶体管负微分电阻电路的三值存储电路
机译:近阈值SIDO DC-DC转换器,具有高精度ZCD,用于相位变化存储器芯片
机译:有效沟道长度为5-20nm的“双载流子场效应晶体管”和“三维场效应晶体管”及其ASIC和SOC的集成器件和电路仿真
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:对双电路直流输电线路高精度等效电路的检查
机译:低压交流电源电路中的电涌保护:选集。第8部分。级联电涌保护装置的协调
机译:当将上述四端子双绝缘栅场效应晶体管的一侧的栅极指定为由MOS晶体管构成的MOS晶体管电路的输入端子时
机译:低压交流电源变换装置,可通过构成廉价电路将商用交流电源转换为低压交流电源
机译:作为形成集成电路的垂直型晶体管的方式,该垂直型晶体管包括集成电路结构,并且至少具有具有方式的垂直管芯晶体管DRAM电解池和具有方式的垂直管芯晶体管以及构成方式的DRAM。
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