多晶硅生长过程中氧化夹层形成机理的热力学研究

摘要

多晶硅在生长过程中,由于温度控制的不准确性,易导致硅芯/硅棒氧化而形成氧化夹层。针对以上问题,文章从热力学的角度揭示了氧化夹层形成的原因,提出了消除氧化夹层的具体措施。