基于GaAs工艺2-4 GHz宽带低功耗低噪声放大器

摘要

本文介绍了一种基于0.5 μm GaAs pHEMT工艺的2-4 GHz宽带低噪声单片放大器（LNA）。该双级放大器由Cascode结构构成。基于自偏置技术与负反馈技术,该放大器能够实现单电源供电,并具有宽带工作特性。实测结果显示,在2-4GHz宽频带范围内,带内的典型噪声系数为0.7 dB,输出功率1dB压缩点大于14 dBm,OIP3大于30dBm,且直流功耗仅为250 mW。芯片尺寸为0.65×0.85 mm2。因此,该芯片在兼顾低功耗的同时具有极佳的宽带低噪声性能和高线性度特性,在5G无线通信系统中具有广泛的市场应用前景。