一种宽带双平衡混频器芯片的设计

丁勇; 吉宗海; 柳勇; 方立军

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一种宽带双平衡混频器芯片的设计

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本文设计了一款工作在3GHz-6.5GHz的宽带GaAs MMIC双平衡混频器.RF/LO频率范围是3GHz-6.5GHz,IF频率范围是0.1-2.8GHz.采用的是WIN 0.15umPHEMT工艺.采用Marchand巴伦结构为混频器提供差分信号.芯片达到的技术指标是变频损耗<12dB,本振和射频隔离度均大于24dB.

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来源
《数字通信世界》|2015年第8期|190-191|共2页
作者
丁勇; 吉宗海; 柳勇; 方立军;
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作者单位

中国电子科技集团第三十八研究所,合肥 230088;

中国电子科技集团第三十八研究所,合肥 230088;

中国电子科技集团第三十八研究所,合肥 230088;

中国电子科技集团第三十八研究所,合肥 230088;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变频器、混频器;
关键词
宽带; 双平衡混频器; MMIC;
入库时间 2022-08-18 03:20:54

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