雷电冲击下GIS外壳暂态电位升的研究

摘要

为了计算雷击GIS单相套管外引线时,GIS外壳暂态电位升高,建立了GIS电路模型。利用电磁场理论和多导体传输线理论提取了GIS主要元件参数,建立了GIS主要元件的电路模型。以某220 kV GIS智能开关设备为研究对象,计算了智能组件传感器安装处GIS外壳TEV,并进行了试验验证。所得的仿真结果为下一步智能组件端口骚扰电压的研究提供基础。