含氮聚硅氧烷配位体及其Cu^(2+)络合物的介电性能

摘要

研究了ｎ－β（氨乙基）－γ（氨丙基）三乙氧基硅烷［ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］与二甲基二乙氧基硅烷［（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＥｔ）２］共水解，制备含ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２功能基的聚硅氧烷配位体。用ＩＲ，１ＨＮＭＲ和元素分析法对水解产物分析证明，ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３与（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＥｔ）２进行了共水解反应，而且水解程度随ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３比例增加而提高。用紫外－可见光谱法考察发现，共聚产物可以与Ｃｕ２＋形成稳定的络合物。对共聚产物及其Ｃｕ２＋络合物的介电性能进行了研究，结果表明，随ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）３ＮＨ２基团含量增加，介电常数（ε′）和损耗因子（ε″）增大，体积电阻率（ρＶ）减小，损耗角正切（ｔｇδ）具有极大值。但共聚产物与Ｃｕ２＋形成络合物后，则ε′减小，ρＶ增大，ε″和ｔｇδ呈减小趋势。