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陈新宇; 高建峰; 王军贤; 陈效建;
南京电子器件研究所;
赝配高电子迁移率晶体管; 功率放大器; Ka波段;
机译:使用0.15-μmingaAs / GaAs E模式PHEMT技术的1 W KA波段功率放大器
机译:使用GaAs PHEMTS具有26.9 dBm输出功率,42%峰值PAE和32%后退PAE的Ka波段多赫蒂功率放大器
机译:2M厚GaAs基板上的Ka波段1W PHEMT MMIC功率放大器
机译:紧凑型Ka波段GaAs pHEMT MMIC陷波滤波功率放大器
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:微型0.5W Q波段0.25μmGaAs PHEMT大功率放大器MMIC
机译:Ka波段固态功率放大器(Kapa)
机译:具有最小加工和装配误差的KA波段高功率放大器结构
机译:使用Ka波段的Ka飞机拦截系统和方法
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