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杨晔; 杜玉扣; 车广灿; 吴非; 董成; 贾顺莲; 周玉清; 李建奇; 赵忠贤; 曹国辉;
国家超导实验室,中国科学院物理研究所,北京科技大学材料物理系;
淬火; 制备工艺; Bi系; 超导体; 超导电性; 氧含量;
机译:多种中间工艺制备BI,PB-SR-CA-CU-O超导体的微观结构研究
机译:冷却速率对固态反应法制备Bi1.7Pb0.35Sr1.9Ca2.1Cu3Oy超导体性能的影响
机译:湿法制备的Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_3Cu_4O_(12)超导体中退火时间对电阻转变和交流损耗的影响
机译:共沉淀法制备复杂磁氧化物纳米颗粒对(Bi_(1.6)PB_0.4)SR_2CA_2CU_(3O10)超导体的影响
机译:层状超导体BiS2化合物的合成及压力施加对超导性的影响
机译:通过玻璃成型工艺在微流控芯片玻璃上制备微结构
机译:通过退火工艺制备的Bi-Pb-SR-CA-Cu-o超导膜JC对若干影响的研究。
机译:快速熔融淬火和玻璃结晶制备超导Bi1.5pb0.5sr2Ca2Cu3O(x)陶瓷
机译:Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系列超导体的制造工艺
机译:Bi-Pb系列超导体及其制造工艺
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