新添加剂下KDP晶体快速生长及其性能表征

李国辉; 苏根博; 薛丽平; 庄欣欣; 贺友平; 李征东

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新添加剂下KDP晶体快速生长及其性能表征

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我们使用优级纯的KH2PO4和超纯水(电阻率≥18.2MΩ·cm)为原料,采用新的添加剂KCl(氯化钾)及EDTA钾盐,使生长溶液的稳定性得到提高,在5L生长槽内生长出51mm×54mm×40mm的KDP单晶,生长速度达到15～20mm/d,并检测了快速生长晶体的重要的应用性能,发现与高质量慢速生长晶体性能相当,可以达到使用要求.

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第2期|336-339|共4页
作者
李国辉; 苏根博; 薛丽平; 庄欣欣; 贺友平; 李征东;
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作者单位

中国科学院福建物质结构研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;晶体的光学性质;
关键词
添加剂; KDP晶体; 晶体生长; 光学性能; 晶体材料; 混频; 差频;

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