Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的生长及电学性能

摘要

利用 ＡＣＲＴ—ＶＢＭ法生长 Ｈｇ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体，并对所得晶体作出宏观和微观质量评价为改善晶体的电学性质，将生长态的晶体在低温下长时间退火，实现了晶片的反型．Ｈａｌｌ电测量的结果表明位错的数量、分布及富Ｔｅ相、晶界、杂质等的存在都对晶体的电学性质有显著的影响。