高质量单晶In_2Ge_2O_7纳米带的合成和生长机制探究

摘要

采用CVD法成功合成了高质量单晶In2Ge2O7纳米带,采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像以及X射线衍射(XRD),能谱元素分布图像等对产物进行了表征。结果表明,生长的纳米带长几十微米、厚度50 nm,几乎没有缺陷且In,Ge,O元素分布均匀。此外,基于热力学原理对单晶纳米带的生长机制进行了讨论。