首页> 中文期刊> 《人工晶体学报》 >K_2Bi(IO_3)_4Cl晶体的生长及性质研究

K_2Bi(IO_3)_4Cl晶体的生长及性质研究

         

摘要

报道一种新型的K_2Bi(IO_3)_4Cl晶体的生长及其性质。以KIO_3:BiCl_3摩尔比为2∶1,采用水热法生长出了尺寸为2 mm×2.5 mm×1.5 mm的透明K_2Bi(IO_3)_4Cl晶体,该晶体属于单斜晶系,空间群为P21/c,晶胞参数为:a=1.1216(3)nm,b=1.2260(3)nm,c=1.0444(2)nm,Z=4,V=0.13522(5)nm^3。晶体的电子能带结构和态密度的理论计算结果说明K_2Bi(IO_3)4Cl化合物的直接带隙大小为2.343 eV,吸收光谱表明其光吸收边为2.466 eV。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号