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杨英艿;
北京有色金属研究总院;
氮化镓; 固溶体; 外延工艺; InGaN; MOVPE; 蓝色LED;
机译:利用由液体源前驱物形成的氮化镓种子层在硅衬底上生长的外延氮化镓薄膜
机译:通过氮化镓的开放气氛退火生长的氧化镓(β-Ga_2O_3)薄膜的热导率中的尺寸效应
机译:掺锌氮化镓上外延氮化铁超薄膜的生长
机译:液体靶脉冲激光沉积及其在生长金刚石/类金刚石碳和氮化镓薄膜中的应用,
机译:原子清洁的氮化镓(0001)和氮化铝(0001)薄膜的制备,表征以及通过碘汽相生长沉积厚的氮化镓薄膜。
机译:使用顺序表面反应在室温和100°C下电子增强结晶氮化镓薄膜的生长
机译:铕掺杂氮化镓薄膜的晶体生长和红光发射器件的应用
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长
机译:基于氮化镓的固溶体薄膜金属基质,基于氮化镓的固溶体薄膜基质及其制备方法
机译:氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的
机译:三甲基镓,其制备方法以及由三甲基镓生长的氮化镓薄膜
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