一种适于LSI及浅结器件的硅片表面加工技术

摘要

通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验、少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖，制管性能大大改善，管芯平均制造合格率提高５％～１５％，硅片表面少子寿命提高一个数量级以上。另外研究还表明，吸杂硅片经高温氧化、扩散等器件工艺后，硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。