PIN二极管用硅外延材料

摘要

介绍了研制适用于大功率PIN二极管的硅外延材料的工艺过程,采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过大量实验,利用4.0μm/min的生长速率得到了掺杂浓度为2.0×1019cm-3的超高浓度的掺杂外延层,其外延层表面光亮,满足了PIN二极管的使用要求。