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钮利荣; 徐筱乐; 蒋幼泉; 杨端良;
南京电子器件研究所;
离子注入; 包封退火; 双层介质; SPDT开关; 手机; 砷化镓;
机译:直流至28 GHz GaAs MMIC SPDT开关
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机译:升高温度下铜金属化SPDT GaAs开关的电气特性评估
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