用微波等离子体CVD制备C_3N_4薄膜

摘要

采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD），使用高纯N2（99．999％）和CH4（99．9％）作反应气体，在多晶Pt（9．99％）基片上沉积C3N4薄膜X射线能潜（EDX）分析结果表明N／C原子比为1．0～1．4；接近C3N4的化学比；X射线衍射谱（XRD）说明薄膜生要由β-和α-C3N4组成；X射线光电子谱（XPS）、傅立叶变换红外谱（FT－IR）和喇曼（Raman）谱说明在C3N4薄膜中存在C－N键.