Bi(Ga_xFe_(1-x))O_3-PbTiO_3高温压电陶瓷的结构和介电性能

摘要

采用传统固相反应法制备了0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiO3(BGF-PT)(x=0.05,0.25,0.40,质量分数)陶瓷。BGF-PT呈四方相钙钛矿结构,四方畸变度c/a比约为1.09。当x(Ga)=25%时,BGF-PT陶瓷的晶粒分布均匀,Fe元素在局部区域无明显富集,该组分陶瓷在室温下具有最优的介电性能,居里温度为572℃。BGF-PT陶瓷在较低温度和高温下的载流子分别为电子和氧空位。Ga元素的引入抑制了电子电导和氧空位离子电导,降低了BGF-PT陶瓷的交流电导率。