n型衬底上双面HIT太阳电池背场的模拟优化

摘要

采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了背场对TCO/a-Si∶H(p+)/a-Si∶H(i)/c-Si(n)/a-Si∶H(i)/a-Si∶H(n+)/TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明在背场掺杂浓度NB≥1×1018cm-3时,带隙在1.60～1.92 eV范围内的宽带隙薄膜硅材料比较适合作为双面HIT太阳电池的背场。模拟中还发现,背场n+层掺杂浓度对太阳电池性能的影响要受到该层隙间态密度的制约,隙间态密度越大,则对背场掺杂浓度的要求越高。